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SiLM27511H

单通道 20V, 4A/5A 高欠（qiàn）压保（bǎo）护低边门（mén）极（jí）驱动器

样片申请（qǐng）

SiLM27511H Datasheet SiLM27511H-AQ Datasheet SiLM27511HCJ-AQ Datasheet

产品概述

产品特性（xìng）

安（ān）规认（rèn）证

典型应用（yòng）图（tú）

产品概（gài）述

SiLM27511H系列是单（dān）通道高欠压保护低边门极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT等功率开关。SiLM27511H 采用一种（zhǒng）能够从内（nèi）部（bù）极大（dà）的降低直通（tōng）电流的（de）设计，将高峰值的源电流和（hé）灌电流脉冲提供给电容负载，以实现轨到轨的驱（qū）动能力和典型值仅为 18ns 的极（jí）小传播延迟。

SiLM27511H 在 15V 的（de） VDD 供电情况下（xià），能够提（tí）供 4A 的（de）峰值源（yuán）电流（liú）和 5A 的（de）峰值（zhí）灌（guàn）电流。SiLM27511H 欠压锁定（dìng）保护 (UVLO)12.5/11.5V。

产品特性

低成（chéng）本的门极（jí）驱动方案可用于替代 NPN和 PNP 分（fèn）离器件方案

4A的峰（fēng）值源电流和 5A 的峰（fēng）值灌电流能力

快（kuài）速的传播延（yán）时（典型值（zhí）为 18ns）

快速的上升和下降时间（典型值（zhí）为 9ns/6ns）

13.5V 到 20V 的单电源范围

SiLM27511H 欠压锁（suǒ）定（dìng）保护 (UVLO)12.5/11.5V

兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压（yā）阈值

双输入设计(可选择反相或非（fēi）反相驱动配置)

输入浮空时输出保持为低

工作温度范围（wéi）为 -40°C 到 140°C